特許

J-GLOBAL ID：200903001133571339

非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ

発明者： 水埜 嗣伸
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025162
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 還元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、また、結晶粒径が小さくとも、大きな誘電率が得られ、かつ、絶縁破壊電圧が高く、バイアス特性が良好な非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。【課題解決手段】 主成分が、一般式(Ba1-m Rem )p (Ti1-n-o Zrn Mno )O3 、または(Ba1-l-m Cal Rem )p (Ti1-n-o Zrn Mno )O3 (但し、ReはLa、Ce、Pr、Ndの中から選ばれる少なくとも1種類)で表され、l、m、n、o及びpが、一定の関係を満足する磁器組成物に、BaO-SrO-CaO-Li2 O-SiO2 を主成分とするガラスからなる副成分が、一定量添加されている非還元性誘電体磁器組成物であり、また、誘電体セラミック層が前記非還元性誘電体磁器組成物によって構成され、内部電極はニッケルを主成分とする積層セラミックコンデンサである。

請求項（抜粋）：

主成分が、一般式(Ba<SB>1-m </SB>Re<SB>m </SB>)<SB>p </SB>(Ti<SB>1-n-o </SB>Zr<SB>n </SB>Mn<SB>o </SB>)O<SB>3</SB>(但し、ReはLa、Ce、Pr、Ndの中から選ばれる少なくとも1種類)で表され、m、n、o及びpが、それぞれ0<m≦0.050<n≦0.200<o≦0.031.020≦p≦1.037を満足する非還元性誘電体磁器組成物に、該非還元性誘電体磁器組成物を100重量部としたとき、BaO-SrO-CaO-Li<SB>2 </SB>O-SiO<SB>2 </SB>を主成分とするガラスからなる副成分が、0.3〜2.5重量部添加されていることを特徴とする非還元性誘電体磁器組成物。

IPC (5件)：

C04B 35/49 ,  C04B 35/46 ,  H01B 3/12 322 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 301

FI (5件)：

C04B 35/49 Z ,  H01B 3/12 322 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 301 E ,  C04B 35/46 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-188121
  
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217519   出願人：株式会社村田製作所