特許
J-GLOBAL ID：200903075627750710

誘電体磁器組成物

発明者：
柴田 将充

柴田 将充 について

, 
浜地 幸生

浜地 幸生 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217519
公開番号（公開出願番号）：特開平7-073734
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 1160°C以下で焼成でき、1000以上の高誘電率でありながらX8R特性を満足し、直流バイアス電圧を印加したときの静電容量の温度変化率が小さく、磁器の機械的強度が高い誘電体磁器組成物を提供する。【構成】 一般式、{100-(a+b+c+d+e+f)}BaTiO<SB>3</SB><SB>+</SB>aZnO+bBi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+cNb<SB>2 </SB>O<SB>5 </SB>+dMaO+eMbO<SB>2 </SB>+fRe<SB>2 </SB>O<SB>3</SB>(ただし、MaはPb、Caの少なくとも一種類、MbはTi、Zr、Snの少なくとも一種類、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの少なくとも一種類、a、b、c、d、e、fはモル%、0.5≦a≦4.5、2.0≦b≦6.0、0.5≦c≦4.5、0<d≦4.0、6.5≦e≦10.0、0.5≦f≦5.5)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、SiO<SB>2 </SB>を主成分とするガラスからなる副成分が0.05〜2.5重量%からなる。
請求項（抜粋）：
次の一般式、{100-(a+b+c+d+e+f)}BaTiO<SB>3 </SB>+aZnO+bBi<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>+cNb<SB>2 </SB>O<SB>5 </SB>+dMaO+eMbO<SB>2 </SB>+fRe<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(ただし、MaはPb、Caの中から選ばれる少なくとも一種類、MbはTi、Zr、Snの中から選ばれる少なくとも一種類、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、d、eおよびfはモル%)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、ただし、前記一般式のa、b、c、d、eおよびfがそれぞれ次の範囲にある0.5≦a≦4.52.0≦b≦6.00.5≦c≦4.50 <d≦4.06.5≦e≦10.00.5≦f≦5.5SiO<SB>2 </SB>を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%、からなる誘電体磁器組成物。
IPC (4件)：
H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 303 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358
引用特許：
出願人引用 (5件)
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