特許

J-GLOBAL ID：200903001176470846

半導体装置の製造方法

発明者： 重原 和信 ,  善家 昌伸 ,  高山 真明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197266
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031089
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 ステップカバレッジが良く、かつ内部応力の低い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 コンタクトホール13を貫通させた絶縁膜上に、ステップカバレッジの良い条件でタングステン膜を成膜しつつ、コンタクトホール13をタングステンで埋め込む成膜工程を実施する。次いで、成膜工程で成膜したタングステン膜15の表面をシラン系化合物ガス雰囲気16に曝すことにより、シラン系化合物ガス分子又はシリコン原子をタングステン膜内に拡散させる拡散工程を実施する。この拡散により、タングステン膜15に生じている内部応力が緩和される。

請求項（抜粋）：

接続孔を貫通させた絶縁膜上にタングステン膜を成膜しつつ接続孔をタングステンで埋め込む成膜工程と、成膜工程で成膜したタングステン膜の表面をシラン系化合物ガス雰囲気に曝すことにより、シラン系化合物ガス分子又はシリコン原子をタングステン膜内に拡散させる拡散工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C

Fターム (16件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104DD06 ,  4M104DD43 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13 ,  5F033AA02 ,  5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033AA72 ,  5F033BA15 ,  5F033BA25 ,  5F033BA38 ,  5F033DA07 ,  5F033DA15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-072131
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276274   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-044613   出願人：日本電気株式会社