特許

J-GLOBAL ID：200903096562694199

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮▲崎▼ 和樹 ,  重原 和信 ,  善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044613
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241895
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 下層回路上に設けられた層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔を金属配線で接続する半導体装置において、上記金属配線を形成する際に、コンタクト孔内部にボイド(空孔)が無く信頼性の高い、かつ膜応力の低い金属配線を提供する。また、短工程の製造プロセスを提供する。【構成】 上記金属配線を形成する際に、まず段差被覆性の良い条件でタングステン膜15を成膜形成しコンタクト孔13内部を埋め込んだ後、前記段差被覆性の良いタングステン膜15より膜応力の低い条件でタングステン膜16を成膜し金属配線層を形成し、膜全体の応力を低減する。

請求項（抜粋）：

タングステンを配線に用いる半導体装置の製造方法において、タングステン膜を減圧気相成長法で形成する工程と、前記タングステン膜にイオン注入する工程と、該イオン注入した前記タングステン膜をパターンニングして配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-181150
  
• 特開昭58-182873
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-291461   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-081323   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-232900   出願人：日本電気株式会社