特許
J-GLOBAL ID：200903001179128650
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276781
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114555
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 SnO2からなる透明導電膜をレーザーパターニングすることが一般的であったが、近年ZnOが透明電極として用いられ始めており、これのパターンニングが必要となっている。しかしZnOを用いる場合、従来と同様にレーザーパターニングすると分離したパターン間で数百キロオームという不十分な分離抵抗しか得られないという問題点があった。【解決手段】 薄膜太陽電池を形成する基板1上に、透明導電膜2としてZnOを形成し、それをレーザースクライブによるパターニング加工をしてスクライブライン5を形成し、その後に酢酸等による化学的なエッチングを行う。また、化学的なエッチングを行う際に、透明電極表面に微細な凹凸を同時に形成される。これにより、分離抵抗が10メガオーム以上となりテスター等では測定不能なレベルまで完璧に分離することが可能となる。その後、アモルファスSi層3、裏面電極4を形成して、薄膜太陽電池が形成される。
請求項（抜粋）：
薄膜太陽電池を形成する基板上に、ZnOからなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜に熱的な加工によるパターンニング加工を行い、その後に化学的なエッチングを行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (9件)：
5F051AA05
, 5F051CB27
, 5F051DA17
, 5F051EA03
, 5F051EA09
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA19
, 5F051GA03
