特許

J-GLOBAL ID：200903001246253546

スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法

発明者： 三井 勝
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-073913
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 耐酸性や透過率等の膜特性に優れた光半透過部を有する位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクの提供する。【解決手段】 シリコンと金属とを含み、化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜3aを形成して位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造する。

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクの光半透過部を形成するために使用されるスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成が化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量が多いことを特徴とするスパッタターゲット。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  C01B 33/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  C01B 33/00 ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024037   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション