特許
J-GLOBAL ID：200903001253131960

半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法および原板

発明者：
井上 壮一

井上 壮一 について

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姜 帥現

姜 帥現 について

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東川 巌

東川 巌 について

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森 一朗

森 一朗 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348623
公開番号（公開出願番号）：特開2000-171965
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】パターンつなぎ部における寸法変動を回避する。【解決手段】複数の原板上のパターンをリソグラフィ手段によってウェハ4上に転写して形成する半導体装置の製造方法において、形成すべき半導体装置の回路情報から得られる機能単位の配置情報に基づいて、機能単位の境界部で半導体装置のパターンデータを分割し、該分割されたそれぞれのパターンデータごとに原板31,32を作成し、ウェハ4上の所定位置に対応する原板を原板31,32から選択して転写する。
請求項（抜粋）：
複数の原板上のパターンをリソグラフィ手段によって被露光基板上に転写して形成する半導体装置の製造方法において、形成すべき半導体装置の回路情報から得られる機能単位の配置情報に基づいて、機能単位の境界部で該半導体装置のパターンデータを分割し、該分割されたそれぞれのパターンデータごとに複数の原板を作成し、前記被露光基板上の所定位置に対応するパターンを前記複数の原板から選択して転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 C
Fターム (6件)：
2H095BA05 ,  2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  5F046AA05 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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