特許

J-GLOBAL ID：200903001257018093

不揮発性半導体メモリ

発明者： 岩 橋 弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065597
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 閾電圧が高すぎるメモリセルが広範囲に存在する場合でも救済でき、より読出し速度の速い半導体メモリを提供する。【構成】 正規のメモリセルMには予備メモリセルM1、不良メモリセルの行を記憶する行記憶用メモリセルM2、不良メモリセルの列を記憶する列記憶用メモリセルM3が設けられており、不良の行及び列が選択されたときは、この不良のメモリセルに代えて予備のメモリセルからのデータを読出しデータ切換え手段により読出すようにしているので、メモリセルを1個単位で予備のメモリセルと置換えることが出来るようになり、メモリセルの閾電圧の異常やゲート絶縁膜の絶縁不良のようなメモリセルアレイ中に散発的に存在するような不良も救済できる。

請求項（抜粋）：

行線と、行及び列方向にマトリクス状に配列され前記行線により選択的に駆動されるメモリセルと、このメモリセルの一端に接続される列線と、前記メモリセルに不良があるときに、前記メモリセルの代わりに使用される予備のメモリセルと、前記不良のメモリセルの行番地を記憶するための行番地記憶用メモリセルと、前記不良のメモリセルの列番地を記憶するための列番地記憶用メモリセルと、前記行及び列番地記憶用メモリセルに記憶されたデータを読出すためのデータ読出し手段と、このデータ読出し手段から読出されたデータに応じて、前記メモリセルから読み出されたデータと前記予備のメモリセルから読み出されたデータのいずれを出力するかを切換える読出しデータ切換え手段とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 ,  H01L 27/115

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平1-285098
  
• 一括消去型不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243118   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭56-134399
  

審査官引用 (3件)

• 特開平1-285098
  
• 一括消去型不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243118   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭56-134399