特許

J-GLOBAL ID：200903001269200903

単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ

発明者： 坪井 利行 ,  縄巻 健司 ,  小林 春洋
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 有賀 正光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276501
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086219
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブを用いた安価な電界電子放出源を得るためのカーボンナノチューブのフィルム化方法を提供する。【解決手段】 単層カーボンナノチューブをアセトンとともにビーカーに入れ、超音波をかけることにより、単層カーボンナノチューブをアセトン中に分散させる。その後、アセトンを自然蒸発させ、ビーカー中に位置させておいた銅板上に単層カーボンナノチューブを堆積させる。単層カーボンナノチューブを表面に堆積させた銅板を、電子管のカソードとして用いる。

請求項（抜粋）：

粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させ、超音波をかけた後、前記溶媒を蒸発させることにより、前記溶媒中に位置させておいた基板上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 101 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02

FI (3件)：

C01B 31/02 101 F ,  H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B

Fターム (3件)：

4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249096   出願人：株式会社東芝