特許

J-GLOBAL ID：200903001338083159

リチウム二次電池用負極材料の製造方法及びリチウム二次電池

発明者： 小林 弘典 ,  石田 正 ,  田村 繁治 ,  望月 昭一 ,  三原 敏行 ,  田渕 光春 ,  蔭山 博之 ,  上坊 泰史 ,  山本 善史 ,  松岡 政夫 ,  玉置 純
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293228
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110151
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】リチウム二次電池、特に薄膜リチウム二次電池用に適した高エネルギー密度でサイクル特性の良好な負極材料を低温で製造できる方法を提供する。【解決手段】 蒸着原料として金属スズを用い、10-3〜10-7Torrの真空条件下で、基板温度を273K〜573Kとして、真空蒸着法によってスズ薄膜を形成することを特徴とするリチウム二次電池用負極材料の製造方法、及びスズ源としてテトラメチルスズを用い、酸素源としてオゾン含有酸素を用いて、CVD法によって酸化スズ薄膜を形成することを特徴とするリチウム二次電池用負極材料の製造方法。

請求項（抜粋）：

蒸着原料として金属スズを用い、10-3〜10-7Torrの真空条件下で、基板温度を273K〜573Kとして、真空蒸着法によってスズ薄膜を形成することを特徴とするリチウム二次電池用負極材料の製造方法。

IPC (5件)：

H01M 4/38 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/66 ,  H01M 10/40

FI (5件)：

H01M 4/38 Z ,  H01M 4/02 D ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/66 A ,  H01M 10/40 Z

Fターム (30件)：

5H017AA03 ,  5H017AS10 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H017HH07 ,  5H017HH08 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL02 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ04 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ07 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ15 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050CB02 ,  5H050FA18 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA00 ,  5H050HA14 ,  5H050HA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電極構造体及び二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282086   出願人：キヤノン株式会社
• 非水二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264995   出願人：富士写真フイルム株式会社