特許
J-GLOBAL ID：200903001356619929
シリコンウェハーの常温接合法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院機械技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268028
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092702
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】大きな接合強度を持ち、かつ荷重による押し付けや加熱処理を必要としないシリコンウェハーの接合方法を得ること。【解決手段】シリコンウェハーとシリコンウェハーとを接合する方法であって、両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って室温の真空中での不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで10秒から1800秒照射してスパッタエッチングする
請求項（抜粋）：
シリコンウェハーとシリコンウェハーとを接合する方法であって、両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングすることを特徴とするシリコンウェハーの常温接合法
IPC (2件)：
FI (2件)：
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