半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-220288
公開番号（公開出願番号）：特開平11-066900
出願日： 1997年08月15日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】半導体メモリの各々の出力データを直接外部に出力することなく、さらには、半導体メモリの出力データのスイッチングスピードを低下させたり、消費電力を増大させることなく、半導体メモリのテストを行うことができる半導体装置を提供すること。【解決手段】第1のテストモードにおいて、半導体メモリから出力される各々の出力データとこれに各々対応する出力期待値データとを比較し、各々の出力データに対応する比較結果の全てをワイヤードオア接続して外部出力ピンから出力するようにし、第2のテストモードにおいて、電源電流の変化によって半導体メモリの良否を判定するテスト回路自身の故障を検出するようにしたことにより、上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2ビット以上の出力データを出力する半導体メモリを搭載した半導体装置であって、前記半導体メモリから出力される各々の出力データとこれに各々対応する出力期待値データとを比較して各々の比較結果を出力する一致検出回路と、この一致検出回路から出力される各々の前記比較結果の全てをワイヤードオア接続して1本の外部出力ピンから出力する結果出力回路と、通常の動作モードであるノーマルモード、前記半導体メモリのファンクションテストを行うための第1のテストモード、または、前記一致検出回路の故障を検出するための第2のテストモードのいずれかに動作モードを切り換えるモード切換回路とを有する前記半導体メモリの良否を判定するためのテスト回路を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 29/00 675 , G01R 31/28 , G01R 31/3185 , G11C 11/413 , G11C 11/401

FI (5件)：

G11C 29/00 675 L , G01R 31/28 B , G01R 31/28 W , G11C 11/34 341 D , G11C 11/34 371 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-128531 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-260200

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