特許

J-GLOBAL ID：200903001390863677

シリコン単結晶の引き上げ方法

発明者： 園田 浩二 ,  三村 敏夫
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346827
公開番号（公開出願番号）：特開平9-165298
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 CZ法による結晶軸<110>シリコン単結晶の引き上げに当たり、無転位化するための絞り工程において結晶が切れないようにするとともに、コスト増加を最小限に抑えることができるようにする。【解決手段】 絞り工程において、ホットゾーンに1500ガウス以上の磁場を印加しつつ結晶直径を2.0mm未満に絞る。磁場の印加により融液表面の振動、温度変動が小さくなり、従来から発生していた固液界面における結晶の切れが防止される。絞り工程に続く肩作り工程では、印加する磁場の強さを徐々に減じ、直胴工程に入るまでに磁場の強さを零とする。この方法により結晶軸<110>の無転位単結晶が得られ、直胴工程以降は磁場を印加しないためコスト増加は最小限に抑えられる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法による結晶軸<110>シリコン単結晶の育成に先立って行う絞り工程において、1500ガウス以上の磁場を印加し、融液表面の振動と温度変動とを抑制しつつ結晶直径を2.0mm未満に絞ることを特徴とする結晶軸<110>シリコン単結晶の引き上げ方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/36 ,  C30B 33/04

FI (4件)：

C30B 29/06 502 G ,  C30B 29/06 502 F ,  C30B 15/36 ,  C30B 33/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-285893
  
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-319791   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平3-080184
  
• 特開平3-279803