特許
J-GLOBAL ID:200903001408927937
絶縁体及び金属のCMP用組成物及びそれに関する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
津国 肇 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-518814
公開番号(公開出願番号):特表2003-507566
出願日: 2000年08月23日
公開日(公表日): 2003年02月25日
要約:
【要約】半導体ウェーハ基材の研磨に有用な組成物で、少なくとも16個の炭素原子からなる主鎖を持ち、半導体ウェーハ表面上の表面基に対し親和性を有する複数の部分を持つ有機ポリマーを含む組成物を提供する。半導体ウェーハ基材の研磨に有用な他の組成物で、少なくとも16個の炭素原子からなる炭素主鎖を持つ界面活性剤を含む組成物を提供する。
請求項(抜粋):
pHが5.0より小さい半導体基材の化学機械研磨用の水性研磨組成物であって、少なくとも2つ以上のポリアクリル酸のブレンドを含み、一方のポリアクリル酸が約20,000〜100,000の低い数平均分子量を有し、他方のポリアクリル酸が約200,000〜1,500,000の高い数平均分子量有し;その場合に高分子量のポリアクリル酸に対する低分子量のポリアクリル酸の重量比が約10:1〜1:10の範囲にあり、前記組成物の重量を基準にして約3.0重量%までの研磨粒子、前記組成物の重量を基準にして1〜15重量%の酸化剤、重量で50〜5000の重量ppmの防食剤、及び前記組成物の重量を基準にして3.0重量%までの錯化剤を含む水性研磨組成物。
IPC (6件):
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, B24B 37/00
, B24B 57/02
, H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
FI (6件):
C09K 3/14 550 C
, C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, B24B 57/02
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 D
Fターム (7件):
3C047FF08
, 3C047GG20
, 3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058DA02
, 3C058DA12
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (2件)
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特開昭63-318257
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水溶性ラップ液組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-021927
出願人:三洋化成工業株式会社
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