炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：村上友一 , 大久保操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-163874
公開番号（公開出願番号）：特開2005-001899
出願日： 2003年06月09日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】マイクロパイプ欠陥が発生しにくく、かつ結晶成長速度を向上させた炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】種結晶基板10にシリコン12を積層して積層体14を形成する第1工程と、積層体14を炭化珪素被覆層16で被覆して複合体18を形成する第2工程と、複合体18をシリコン12の溶融温度よりも十分に高い2000°C以上で熱処理する第3工程とによって種結晶基板12に炭化珪素単結晶のエピタキシャル層20を成長させる。積層体14を被覆する炭化珪素被覆層16はCVD法によって成膜された炭化珪素多結晶であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

種結晶基板にシリコンを積層して積層体を形成する第1工程と、前記積層体を炭化珪素で被覆して複合体を形成する第2工程と、前記複合体を前記シリコンの溶融温度以上で熱処理する第3工程とによって前記種結晶基板に炭化珪素単結晶のエピタキシャル層を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

C30B29/36 , C30B19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A , C30B19/04

Fターム (9件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077CG01 , 4G077CG07 , 4G077EC03 , 4G077EC05 , 4G077QA01 , 4G077QA12 , 4G077QA74

引用特許：

出願人引用 (3件)

単結晶SiC及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-313698 出願人：日本ピラー工業株式会社
特開昭55-149192
特開昭55-116700

審査官引用 (3件)

単結晶SiC及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-313698 出願人：日本ピラー工業株式会社
特開昭55-149192
特開昭55-116700

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