特許
J-GLOBAL ID：200903097139189760

単結晶SiC及びその製造方法

発明者：
谷野 吉弥

谷野 吉弥 について

, 
平本 雅信

平本 雅信 について

, 
谷垣 輝之

谷垣 輝之 について


出願人/特許権者：
日本ピラー工業株式会社

日本ピラー工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-313698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130998
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 中間層にSiO2 を介在させた場合と同等以上の高い品質及び高い製造効率を確保しつつ、不純物をppb単位の含有量に抑えて半導体デバイス製作用材料としての利用範囲の拡大が図れるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1の表面上に、例えば熱CVD法によりSi層2を成膜した後、このSi層2の表面の一部を酸化させてSiO2 層3を形成し、このSiO2 層3の表面に、熱CVD法等により製作されたβ-SiC多結晶板4を密着状態に積層した後、その積層複合体5を不活性ガス雰囲気かつ飽和SiC蒸気圧下で熱処理することにより、多結晶板4の多結晶層をα-SiC単結晶基板1の結晶方位に倣って単結晶化させて単結晶SiCを一体に成長させる。
請求項（抜粋）：
α-SiC単結晶基板の表面上のSi層とSi原子及びC原子により構成された板状体とを積層してなる複合体を不活性雰囲気下で熱処理することにより、板状体がα-SiC単結晶基板の結晶方位に倣って単結晶化された単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
Fターム (32件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA01 ,  4G077DB01 ,  4G077DB05 ,  4G077DB21 ,  4G077FE02 ,  4G077GA03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AD14 ,  5F045AE21 ,  5F045AF02 ,  5F045BB14 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045HA16 ,  5F052AA17 ,  5F052CA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052GC01 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10
引用特許：
審査官引用 (2件)

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