特許
J-GLOBAL ID：200903001421154017

多層配線基板及びその製造方法並びに半導体装置

発明者：
真篠 直寛

真篠 直寛 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261141
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 多層配線基板において、サイドエッチングやエレクトロマイグレーション等の不都合を招くことなく、フルアディティブ法に近いレベルの微細配線を実現し、高アスペクト比のビア・ホールの形成に寄与することを目的とする。【解決手段】 第1の配線11が形成されたコア基材10の上に絶縁層12,13を形成し、この絶縁層に第2の配線の形状に応じた凹部16を形成し、この凹部において第1の配線11に到達するビア・ホール17を形成し、ビア・ホール17及び凹部16を埋め込むように電解パネルメッキ膜又は蒸着膜を形成して層間接続部18と第2の配線19を形成し、以降、必要な配線の層数となるまで上記の処理を繰り返す。
請求項（抜粋）：
表面に第1の配線が形成されたコア基材の上に絶縁層を形成する第1の工程と、前記絶縁層に、該絶縁層上に形成されるべき第2の配線の形状に応じた凹部を形成する第2の工程と、前記凹部内に前記第1の配線に到達するビア・ホールを形成する第3の工程と、前記ビア・ホール及び前記凹部を埋め込むように前記絶縁層上に金属膜を形成して層間接続部及び第2の配線を形成する第4の工程と、前記第1〜第4の工程と同様の工程を必要な配線の層数となるまで繰り返す第5の工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/20
FI (4件)：
H05K 3/46 B ,  H05K 3/10 E ,  H05K 3/20 A ,  H01L 23/12 N
Fターム (20件)：
5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343DD23 ,  5E343DD43 ,  5E343DD56 ,  5E343ER18 ,  5E343ER45 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC05 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346DD16 ,  5E346DD44 ,  5E346EE38 ,  5E346EE39 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346GG28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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