特許
J-GLOBAL ID：200903001424503004

窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法

発明者：
リチャード ピーター スミス

リチャード ピーター スミス について

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アダム ウィリアム サクスラー

アダム ウィリアム サクスラー について

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スコット ティー.シェパード

スコット ティー.シェパード について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-061226
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227501
出願日： 2008年03月11日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】III族窒化物高電子移動度トランジスタ(HEMT)およびその作製方法を提供すること。【解決手段】キャップ層がその上に提供されるバリア層から離れたキャップ層の表面近くに高アルミニウム濃度を有する、不均一なアルミニウム濃度のAlGaNベースのキャップ層を含む、高電子移動度トランジスタが提供される。キャップ層がその上に提供されるバリア層から離れたキャップ層の表面近くにドープ領域を有するキャップ層を含む、高電子移動度トランジスタが提供される。ワイドバンドギャップ半導体デバイスのための黒鉛状BN不動態化構造が提供される。III族窒化物半導体デバイスのためのSiC不動態化構造が提供される。不動態化構造の酸素アニールもまた提供される。リセスのないオーミックコンタクトもまた提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物ベースのチャネル層と、 前記チャネル層上のIII族窒化物ベースのバリア層と、 前記バリア層上の多層キャップ層であって、前記バリア層上に窒化アルミニウム(AlN)を含む層を含み、AlNを含む前記層上に窒化ガリウム(GaN)層を含む多層キャップ層と、 前記GaN層上のSiN不動態化層とを含むことを特徴とするIII族窒化物高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q
Fターム (34件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GT07 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (23件)
  • 米国特許第5192987号明細書
  • 米国特許出願第10/849589号明細書
  • 米国特許公開第2003/0020092号明細書
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審査官引用 (3件)

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