特許

J-GLOBAL ID：200903018585982875

GaNベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタおよびその製作方法

発明者： リチャード ピーター スミス
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-513045
公開番号（公開出願番号）：特表2004-535676
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

高電子移動度トランジスタ(HEMT)とHEMTを製作する方法を提供する。本発明の実施形態によるデバイスは、窒化ガリウム(GaN)チャネル層と、そのチャネル層上の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)障壁層を含む。障壁層(16)上には第1のオーム接触を設けてソース電極(18)を形成し、障壁層(16)上にはソース電極(18)から間隔を空けて第2のオーム接触を設けることによりドレイン電極(20)を形成する。障壁層(16)上には、ソース電極(18)とドレイン電極(20)との間にGaNベースのキャップセグメント(30)を設ける。GaNベースのキャップセグメント(30)は、ソース電極(18)の隣にソース電極(18)から間隔を空けて第1の側壁(31)を有し、ドレイン電極(20)の隣にドレイン電極(20)から間隔を空けて第2の側壁(32)を有してもよい。GaNベースのキャップセグメント(30)上には非オーム接触を設けてゲートコンタクト(22)を形成する。ゲートコンタクト(22)は、GaNベースのキャップセグメント(30)の第1の側壁(31)と実質的に一直線に並んだ第1の側壁(27)を有する。ゲートコンタクト(22)は、GaNベースのキャップセグメント(30)の第1の側壁(31)と第2の側壁(32)との間の一部にのみ拡張する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム(GaN)チャネル層と、 該チャネル層上の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)障壁層と、 前記障壁層上に設けられ、ソース電極を提供する第1のオーム接触と、 前記障壁層上の前記ソース電極から間隔を空けて設けられ、ドレイン電極を提供する第2のオーム接触と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記障壁層上のGaNベースのキャップセグメントであって、アルミニウムの濃度が前記障壁層よりも低く、前記ソース電極の隣にかつ前記ソース電極から間隔を空けて設けられた第1の側壁を有するGaNベースのキャップセグメントと、 ゲートコンタクトを提供する前記GaNキャップセグメント上の非オーム接触であって、前記ゲートコンタクトは、前記GaNキャップセグメントの第1の側壁と実質的に一直線に並ぶ第1の側壁を有し、前記ゲートコンタクトは、前記GaNキャップセグメントの第1の側壁と第2の側壁との間の一部にのみ拡張されている非オーム接触と を備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)。

IPC (4件)：

H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B

Fターム (25件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196749   出願人：日本電気株式会社