特許
J-GLOBAL ID：200903001462086018
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-169147
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022574
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 リッジ型半導体レーザにおいて、リッジ溝を簡単な方法で平坦化する。【解決手段】 リッジ型半導体レーザにおいて、有機溶媒にAu超微粒子(0.01μm )を混入した溶剤をスピン塗布31して、250 °C以上の温度でアニールすることによって、リッジ溝を埋めてヒートシンクとの固着面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
片面に第一の電極層を形成された第一導電型基板の他面上に、少なくとも第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層をこの順に含む複数の半導体層が積層され、該半導体層上に第二の電極層が形成され、該第二の電極層側がヒートシンクに固着される半導体レーザにおいて、前記ヒートシンクに固着される固着面側から少なくとも前記第二導電型クラッド層に達する深さまでの前記半導体層に、互いに間隔をおいて延びる少なくとも一対の切欠部が形成され、該一対の切欠部の間のリッジ部上に開口を有する絶縁膜が前記切欠部の側面および底面に形成され、前記開口を覆うようにして前記第二の電極層が形成され、前記固着面側の露出部の全面にスピン塗布法により金属が塗布され、アニールされることにより、前記切欠部が前記金属によって前記リッジ部の高さと略同じ高さまで埋め込まれ、前記固着面が平坦化されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/34 D
, H01L 23/34 Z
