特許

J-GLOBAL ID：200903001467051778

シリサイド膜の形成方法及びシリサイド膜を有する半導体素子の製造方法

発明者： ゾン・ス・ビョン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212146
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186113
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 別の熱処理工程無しに、安定したシリサイド膜を形成することができ、製造工程を単純化することができるシリサイド膜の形成方法及びシリサイド膜を有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明はスパッタリングチャンバ内に半導体基板を配置し、その半導体基板を少なくとも500°C以上の温度に保持し、スパッタリング法で高融点金属を前記半導体基板上に堆積させて基板の表面に金属シリサイド膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板をスパッタリングチャンバ内に配置する段階と、前記半導体基板を約500°C以上の温度に保持する段階と、スパッタリング法で高融点金属を前記半導体基板上に堆積し、基板の表面に金属シリサイド膜を形成する段階とを有することを特徴とするシリサイド膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-143359
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198120   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-104438   出願人：株式会社リコー