特許
J-GLOBAL ID：200903001470477697
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-033418
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187160
出願日： 2007年02月14日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】電極を容易にオーミック接続できる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、基板2上に形成された基板側反射層3と、n型クラッド層4と、発光層5と、p型クラッド層6と、p型コンタクト層7と、電極側反射層8とを備えている。また、半導体発光素子1は、一対のp側電極9及びn側電極10とを備えている。基板2は、n型GaAsからなる。また、基板2は、半導体発光素子1の積層方向の全体の厚みが約60μm以下となるように、積層方向の厚みが約1μm程度になるまでエッチングにより除去されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaAsからなる基板上に成長させた半導体層を備えた半導体発光素子において、
前記基板の一部は、前記半導体発光素子の積層方向の厚みが60μm以下となるようにエッチングにより除去されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA24
, 5F041AA33
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB15
