光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332727
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168236
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】光半導体チップ本来の機能を悪化させるようなことなく、光半導体チップの薄型化が図れるようにする。【解決手段】化合物半導体の結晶からなる半導体積層部3を備えた光半導体チップであって、上記半導体積層部3は、その結晶成長に用いられた基板とは異なる代替支持材1に接着されており、かつ上記半導体積層部3から上記基板が除去されている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を備えた光半導体チップであって、上記半導体積層部は、その結晶成長に用いられた基板とは異なる代替支持材に接着されており、かつ上記半導体積層部から上記基板が除去されていることを特徴とする、光半導体チップ。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-174780
特開平4-029374
化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-300144 出願人：株式会社東芝

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