特許

J-GLOBAL ID：200903001477171852

配線形成方法及び配線形成装置

発明者： 王 新明 ,  尾渡 晃
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (5件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-170122
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004615
出願日： 2006年06月20日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成した基板の表面を、配線間に電流リークが発生するリスクを低減しつつ確実に洗浄し、しかる後、基板の表面に絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、 洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、 前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/90 J ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 651A

Fターム (14件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033MM01 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3705724号公報
  
• めっき方法、基板形成方法及び基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003573   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ