特許

J-GLOBAL ID：200903034881687353

めっき方法、基板形成方法及び基板

発明者： 豊田 吉彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 溝井 章司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003573
公開番号（公開出願番号）：特開2005-194598
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 基板上に形成されたCu配線にキャップするための金属層を安定して形成させることを目的とする。【解決手段】 防食剤が吸着したCu層が形成された基板3をラジカル雰囲気とイオン雰囲気とのいずれかに暴露する前処理ユニット16と、上記前処理ユニット16により暴露された基板3に形成されたCu層に所定の金属をめっきするめっき部38とを備えたことを特徴とする。上記前処理ユニット16は、プラズマを形成することにより基板3をラジカル雰囲気とイオン雰囲気とのいずれかに暴露することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

防食剤が吸着した導電体層が形成された被処理物をラジカル雰囲気とイオン雰囲気とのいずれかに暴露する暴露工程と、 上記暴露工程により暴露された被処理物に形成された導電体層に所定の金属をめっきするめっき工程と を備えたことを特徴とするめっき方法。

IPC (6件)：

C23C18/18 ,  C23C8/36 ,  C23C18/32 ,  C23G5/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

FI (6件)：

C23C18/18 ,  C23C8/36 ,  C23C18/32 ,  C23G5/00 ,  H01L21/288 E ,  H01L21/90 A

Fターム (48件)：

4K022AA02 ,  4K022AA32 ,  4K022AA42 ,  4K022BA06 ,  4K022BA14 ,  4K022CA03 ,  4K022CA11 ,  4K022CA12 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  4K022EA04 ,  4K028BA02 ,  4K028BA05 ,  4K028BA13 ,  4K028BA21 ,  4K053PA06 ,  4K053QA06 ,  4K053RA02 ,  4K053RA03 ,  4K053SA01 ,  4K053XA50 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK00 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245074   出願人：新光電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 表面処理方法およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法と薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-002157   出願人：株式会社日立製作所
• 配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245074   出願人：新光電気工業株式会社
• 無電解めっき方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253778   出願人：ソニー株式会社