コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055997
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244467
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】有機半導体材料を用いた高性能コプラナー型半導体装置の提供。【解決手段】ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁層103を形成し、その上に層間絶縁層104を形成する。さらにその上にソース電極105,ドレイン電極106を形成する。次に、チャネル領域に対応する層間絶縁層の領域108を除去し、その上に有機半導体層107を形成したコプラナー型半導体装置。

請求項（抜粋）：

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極並びにドレイン電極、および、有機半導体層の順に形成されたコプラナー型半導体装置において、前記ゲート絶縁層の表面に1層以上の層間絶縁層を有し、前記層間絶縁層がチャネル領域において除去された構造であることを特徴とするコプラナー型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/208 , H01L 51/00 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/208 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 618 A

Fターム (45件)：

5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH10 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM11 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ10

引用特許：

審査官引用 (11件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-234113 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-041847 出願人：株式会社東芝
静電気対策を施した電極配線基板とこれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-334492 出願人：株式会社東芝

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