特許
J-GLOBAL ID：200903031038433227
有機薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232589
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 キャリア移動度が向上された有機薄膜トランジスタが提供される。【解決手段】 ゲート絶縁材料層22,32,42,52,62,72の上にあるゲート21,31,41,51,61,71,単軸整合分子を有する有機半導体材料の膜24,34,44,54,64,74の上に、間隔を置いて配置されるソース25,35,45,55,65,75とドレイン26,36,46,56,66,76を含む有機薄膜トランジスタであって、ソースとドレインとの間に、ソースからドレインに向かう方向で分子が整合されるように有機半導体材料の膜が配置され、配向膜23,33,43,53,63,73は、有機半導体材料の膜の分子単軸整合が配向膜によって達成されるように、有機半導体材料の膜に隣接して配置される。
請求項（抜粋）：
有機薄膜トランジスタであって:ゲート絶縁材料層(22,32,42,52,62,72)の上に位置するゲート電極(21,31,41,51,61,71);単軸整合分子を有する有機半導体材料の膜(24,34,44,54,64,74)上で、間隔を開けて配置されるソース電極(25,35,45,55,65,75)とドレイン電極(26,36,46,56,66,76)であって、前記単軸整合分子が、前記ソース電極(25,35,45,55,65,75)と前記ドレイン電極(26,36,46,56,66,76)との間に、前記ソース電極(25,35,45,55,65,75)から前記ドレイン電極(26,36,46,56,66,76)に向かう方向で整合されるように、前記有機半導体材料の膜(24,34,44,54,64,74)が配置され、前記ゲート絶縁材料層(22,32,42,52,62,72)は、前記有機半導体材料の膜(24,34,44,54,64,74)と隣接および平行して機能的に配置されるソース電極(25,35,45,55,65,75)とドレイン電極(26,36,46,56,66,76); および前記有機半導体材料の膜(24,34,44,54,64,74)の分子単軸整合が、前記有機半導体材料の膜(24,34,44,54,64,74)に隣接して配置される配向膜(23,32,43,52,63,73)によって達成されるように、前記有機半導体材料の膜(24,34,44,54,64,74)に隣接して配置される配向膜(23,32,43,52,63,73);によって構成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
