特許

J-GLOBAL ID：200903001483075733

光半導体装置

発明者： 杉山 芳弘 ,  中田 義昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054308
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268323
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 ヘテロ接合を有する光半導体装置に関し、良好な光学的特性と、低い順方向抵抗を有する半導体積層を備えた光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 所定の実効的バンドギャップ、実効的屈折率、および厚さを有する活性層と、前記活性層の両側に配置され、活性層よりも広い実質的バンドギャップ、低い実効的屈折率、および所定の厚さを有する第1および第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に配置され、一方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層と低い層との交互層を含み、前記一方の導電型のバンドの不連続が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著しく小さい第1の積層構造とを有する。

請求項（抜粋）：

所定の実効的バンドギャップ、実効的屈折率、および厚さを有する活性層(5)と、前記活性層の両側に配置され、活性層よりも広い実質的バンドギャップ、低い実効的屈折率、および所定の厚さを有する第1および第2のクラッド層(4A、4B)と、前記第1のクラッド層上に配置され、一方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層と低い層との交互層を含み、前記一方の導電型のバンドの不連続が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著しく小さい第1の積層構造(3A)とを有する光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-076602   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-225588