特許

J-GLOBAL ID：200903001492854850

半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、およびハーフトーンマスク

発明者： 世良 博
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-011092
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177457
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】1回の不純物導入工程により、低濃度不純物領域および高濃度不純物領域を形成することのできる半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、およびこれらの製造方法に使用されるハーフトーンマスクを提供すること。【解決手段】TFTを製造する際、ハーフトーンマスク30およびポジ型のレジスト材料200を用いてレジストマスク20を形成した後、半導体膜1aに対して高濃度不純物を導入し、ソース側高濃度不純物領域1cおよびドレイン側高濃度不純物領域1fを形成する。ハーフトーンマスク30では、半透光膜32が遮光膜31の両側端部を覆うように形成されているため、レジストマスク20には、厚い部分20bと薄い部分20cとの間に中間厚の部分20dが形成され、中間厚の部分20dと重なる領域にはソース側低濃度不純物領域1eおよびドレイン側低濃度不純物領域1fが形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ソース側およびドレイン側でチャネル領域と高濃度不純物領域との間に低濃度不純物領域が形成された半導体膜と、少なくとも前記チャネル領域に対してゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、 基板上に半導体膜を成膜する半導体膜形成工程と、 前記半導体膜の上層側に塗布したポジ型レジスト材料を、遮光膜および半透光膜が各々所定のパターンをもって透光性基板上に形成されたハーフトーンマスクを用いて露光、現像して、前記チャネル領域に重なる部分が厚く、前記高濃度不純物領域に重なる部分が薄いレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、 前記半導体膜に対して前記レジストマスクの薄い部分を通して高濃度不純物を導入する不純物導入工程と、を有し、 前記レジストマスク形成工程では、前記ハーフトーンマスクとして、前記遮光膜の両側端部に対して隣接する領域に前記半透光膜が各々形成されているとともに、当該半透光膜が少なくとも前記遮光膜の両側端部の表面を覆うように形成されているマスクを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L29/78 616A ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627C ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

Fターム (42件)：

2H092JA25 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H095BB03 ,  2H095BC09 ,  2H095BC24 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110EE27 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法、並びに電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-117115   出願人：セイコーエプソン株式会社