特許

J-GLOBAL ID：200903001498041258

磁性材料並びにそれを用いたメモリーおよびセンサ

発明者： 大越 慎一 ,  橋本 和仁 ,  桜井 俊介 ,  黒木 施老
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学 ,  DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 小松 高 ,  和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-224954
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281410
出願日： 2006年08月22日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】ε-Fe2O3の磁性相転移温度およびスピン再配列温度を制御する。【解決手段】ε-Fe2O3結晶のFeサイトの一部がInで置換されたε-InxFe2-xO3〔ただし0<x≦0.30である〕の組成を有し、ε-Fe2O3の結晶構造と同様なX線回折パターンを示す(空間群が同じである)構造を有する結晶からなる磁性材料である。この磁性材料はInの含有量に応じて、ε-Fe2O3の磁気相転移温度よりも低い磁気相転移温度を有し、ε-Fe2O3のスピン再配列温度よりも高いスピン再配列温度を有する。また、この磁性材料はInの含有量に応じて、ε-Fe2O3が有する複素誘電率虚部のピーク温度よりも高い複素誘電率虚部のピーク温度を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ε-Fe2O3結晶と空間群が同じであり、ε-Fe2O3結晶のFeサイトの一部がInで置換されたε-InxFe2-xO3〔ただし0<x≦0.30である〕の結晶からなる磁性材料。

IPC (4件)：

H01F 1/11 ,  C01G 49/00 ,  G11B 5/706 ,  G11B 5/714

FI (4件)：

H01F1/11 L ,  C01G49/00 A ,  G11B5/706 ,  G11B5/714

Fターム (11件)：

4G002AA06 ,  4G002AB02 ,  4G002AD04 ,  4G002AE03 ,  5D006BA06 ,  5D006BA08 ,  5D006FA00 ,  5E040AB02 ,  5E040CA06 ,  5E040CA16 ,  5E040NN02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108293   出願人：エムテックマグネティックスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 磁気機能素子及び磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200840   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ε-Fe2O3ナノ磁性体におけるスピン再配列現象制御