半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089936
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】半導体基板をダイシングしてチップに分割する際にチップに生ずる亀裂や欠落を少なくして不良発生を低減する。【構成】基板の一面から100 μm以下のダイシング溝を入れたのち、他面から少なくともその溝に達する深さのダイシング溝を入れてチップに分割する。これにより、ブレーキングの際に生ずる亀裂や欠落あるいはフルカットの際にウエーハシートとウエーハとの硬さの相違によりダイシングラインに生ずる欠落がなくなる。特に、双方向ダイオードのようにチップ両面にPN接合の露出している場合の歩留まり向上に有効である。

請求項（抜粋）：

半導体基板をダイシングしてチップに分割する際に、基板の一面から第一のダイシング溝を入れたのち、他面から少なくとも第一のダイシング溝に達する深さの第二のダイシング溝を入れることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/78 , H01L 29/91 , H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-290237
特開昭62-014441
特開昭60-157236

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