半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170335
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005633
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】高速動作化されたMISFETを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、nMISFETのソース・ドレイン領域3a,4a上に形成されたシリコン窒化膜からなる第1種内部応力膜8aと、pMISFETのソース・ドレイン領域3b,4b上に形成されたTEOS膜からなる第2種内部応力膜8bとを備えている。第1種内部応力膜8aにより、nMISFETのチャネル領域において電子の移動方向に引張応力が生じ、電子の移動度が高められる。第2種内部応力膜8bにより、pMISFETのチャネル領域において正孔の移動方向に圧縮応力が生じ、正孔の移動度が高められる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の活性領域にMISFETを設けてなる半導体装置であって、上記MISFETは、上記活性領域の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、上記半導体基板のうち上記ゲート電極の両側方に位置する領域に設けられたソース・ドレイン領域と、上記活性領域のうち上記ソース・ドレイン領域間に挟まれる領域であるチャネル領域におけるゲート長方向に実質的に平行な方向に応力を生じさせる内部応力膜とを備えている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301H , H01L29/78 301N , H01L27/08 321A , H01L27/08 321C

Fターム (55件)：

5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BD00 , 5F048BD06 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG32 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK19 , 5F140BK21 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC15 , 5F140CE05

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342667 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-236209
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-355794 出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342667 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-236209
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-355794 出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社

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