特許

J-GLOBAL ID：200903001541239253

マイクロブリッジ構造の製造方法

発明者： 神崎 昌之 ,  佐々木 得人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231346
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074545
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 遷移金属酸化物層と保護膜界面との密着強度に優れ、かつ遷移金属酸化物の電気抵抗が安定な赤外線検出器等のマイクロブリッジ構造の製造方法を提供する。【解決手段】 遷移金属酸化物層(酸化バナジウム層6)の形成工程(工程a)と、フォトレジスト加工工程(工程b)の間に、プラズマ化学気相成長法による第一の保護層(シリコン酸化膜7)の形成工程を挿入した、赤外線検出器等のマイクロブリッジ構造の製造方法。

請求項（抜粋）：

遷移金属酸化物層を内蔵するマイクロブリッジ構造の製造方法において、遷移金属酸化物層を形成する工程、該遷移金属酸化物層上に第一の保護膜を形成する工程、該第一の保護膜が形成された遷移金属酸化物層をフォトリソグラフィ加工法を用いてパターンニングする工程、および、該パターンニング後に該第一の保護膜上に第二の保護膜を形成する工程を含むことを特徴とするマイクロブリッジ構造の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 31/00 ,  G01J 1/02 ,  H01L 35/32 ,  H01L 37/00 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22

FI (7件)：

H01L 31/00 ,  G01J 1/02 R ,  H01L 35/32 A ,  H01L 37/00 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265703   出願人：日本電気株式会社