特許

J-GLOBAL ID：200903001541485033

非導電性支持体材料の上に配置されたパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物およびそれの製造方法

発明者： ナウンドルフ・ゲルハルト ,  ヴィースブロック・ホルスト
出願人/特許権者： ナウンドルフ・ゲルハルト ,  ヴィースブロック・ホルスト
代理人 (1件)： 江崎 光史 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-509267
公開番号（公開出願番号）：特表2000-503817
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】本発明は、重金属含有ベースとそのベースの上に適用された金属化層とより成る、非導電性支持体材料の上に配置されたパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物に関する。本発明は、重金属含有ベースがパターン導体構造物の領域に、非導電性の有機性重金属錯塩の分解によって生じる重金属核を含有していることおよび支持体材料が、重金属核が結合している微小多孔質または微小粗面の担体粒子を含有していることを特徴とする。この方法は析出するパターン導体路の優れた接合を達成する。この方法は三次元回路基板の製造に特に適している。

請求項（抜粋）：

重金属含有ベースとそれの上に適用された金属化層とより成る、非導電性支 持体材料上のパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物において、 重金属含有ベースが非導電性の有機重金属錯塩の分解によって生じる重金属核 をパターン導体構造物の領域に有しており、そして支持体材料が重金属核が結 合されている微小多孔質のまたは微小粗面の担体粒子を含有していることを特 徴とする、上記パターン導体構造物。

IPC (4件)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/14 ,  C23C 18/16 ,  H05K 3/10

FI (4件)：

H05K 3/18 B ,  C23C 18/14 ,  C23C 18/16 Z ,  H05K 3/10 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323022   出願人：日立化成工業株式会社, 日立エーアイシー株式会社
• レーザによる金属の析出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-005668   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション