特許
J-GLOBAL ID：200903001546753109

面発光レーザ装置、面発光レーザ装置を用いた光送受信器、光通信器および光通信システム

発明者：
カシミルス セティアグン

カシミルス セティアグン について

, 
清水 均

清水 均 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318488
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 温度特性の良好な面発光レーザ素子を実現する。【解決手段】 面発光レーザ素子1は、基板側にp側電極15を有し、エピタキシャル成長層側にn側電極13を有する。また、活性層に量子井戸層と障壁層とを有し、障壁層は量子井戸層との伝導帯バンド不連続が小さいGaNAsによって形成されている。面発光レーザ素子1は、n側電極13が配置された側で半田材18を介してヒートシンク20に密着固定されている。このように面発光レーザ装置を構成することで、活性層近傍で発生した熱を、基板を経由せずにヒートシンク20に放出することが可能で、温度特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上面に積層され、量子井戸層と、該量子井戸層を挟んで複数積層され、GaN<SB>y1</SB>As<SB>1-y1</SB>(0<y<SB>1</SB><0.05)によって形成される障壁層とを備えた活性層と、前記活性層上に配置された第1の電極と、前記半導体基板下面に配置され、開口領域を備えた第2の電極と、を備えた面発光レーザ素子と、前記第1の電極を介して前記面発光レーザ素子と接触するヒートシンクと、を備え、前記開口領域からレーザ光が出力されることを特徴とする面発光レーザ装置。
IPC (6件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/42 ,  H04B 10/00 ,  H04B 10/22
FI (5件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/42 ,  H04B 9/00 A
Fターム (20件)：
5F073AA61 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB04 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20 ,  5F073CB11 ,  5F073EA29 ,  5F073FA22 ,  5K102AA51 ,  5K102AA68 ,  5K102AD04 ,  5K102AD11 ,  5K102MA01 ,  5K102MB02 ,  5K102PB06 ,  5K102PB14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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