特許
J-GLOBAL ID：200903001546968750
17族元素を含む誘電層を有するキャパシタおよびその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 安藤 克則
, 池田 幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114887
公開番号（公開出願番号）：特開2004-320019
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】従来技術によるキャパシタより小さな電圧係数値または誘電吸収値を持つキャパシタ、その製造法およびこのキャパシタを包含する集積回路を提供することである。【解決手段】キャパシタの第1の導電板と第2の導電板の間に誘電層を設け、その誘電層は17族元素を含む。フッ素が特に有用である。このキャパシタは改善された電圧係数値または誘電吸収値を示す。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上部に位置する、間に誘電層を有する第1および第2の導電板を含み、上記誘電層が17族元素を含み、誘電吸収が約155ppm未満であるキャパシタ。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F038AC05
, 5F038AC16
, 5F038DF03
, 5F038EZ20
