特許

J-GLOBAL ID：200903001548254070

化学機械的研磨装置、ダマシン配線形成装置及びダマシン配線形成方法

発明者： 渋木 俊一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 飯塚 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237205
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの平坦性と均一性の両方を十分に向上させること。【解決手段】 研磨パッドとプラテンとの間に配置される弾性部材として、JIS規格K6301(A型)で規定される硬度が10〜40であり且つ、厚さが5〜30mmの材質のものを使用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属膜の表面を平坦化する化学機械的研磨装置において、前記半導体基板を真空吸着によって保持する基板保持台と;前記半導体基板と接触する研磨パッドと;前記研磨パッドを保持するプラテンと;前記研磨パッドと前記プラテンとの間に配置された弾性部材とを備え、前記弾性部材は、JIS規格K6301(A型)で規定される硬度が10〜40であり且つ、厚さが5〜30mmであることを特徴とする化学機械的研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 H ,  B24B 37/00 C

Fターム (4件)：

3C058AA07 ,  3C058AA14 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CMP用研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-187380   出願人：株式会社ニコン