特許
J-GLOBAL ID：200903044401054599
CMP用研磨装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187380
公開番号（公開出願番号）：特開平10-034525
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：
【要約】【課題】 1.研磨による被研磨物(例えば半導体)表面の縁だれを防止または抑制できる、2.荷重がかかってもポリシャが圧縮変形を起こしにくい、3.ポリシャと研磨定盤の接合にかかる平坦度不良が発生しにくい、4、ポリシャのドレッシング(目立て)が不要である、5.λ以下の高い被研磨物(例えば半導体)の面精度を得ることができる、6.研磨ポリシャが低コストである、7.研磨ポリシャが高寿命である、という特徴の一部または全てを有するCMP用研磨装置を提供すること。【解決手段】 少なくとも、定盤100と、該定盤100上に設けられ被研磨物300の表面を研磨する研磨ポリシャ101、102とを備えたCMP用研磨装置において、前記研磨ポリシャは、弾性体層101と該弾性体層よりも硬度が大きい硬質層102との2層構造を有し、かつ、前記定盤100上に前記弾性体層101が形成され、さらに該弾性体層101上に前記硬質層102が形成されてなることを特徴とするCMP用研磨装置。
請求項（抜粋）：
少なくとも、定盤と、該定盤上に設けられ被研磨物の表面を研磨する研磨ポリシャとを備えたCMP用研磨装置において、前記研磨ポリシャは、弾性体層と該弾性体層よりも硬度が大きい硬質層との2層構造を有し、かつ、前記定盤上に前記弾性体層が形成され、さらに該弾性体層上に前記硬質層が形成されてなることを特徴とするCMP用研磨装置。
IPC (4件)：
B24B 37/00
, B24B 37/04
, B24B 49/12
, H01L 21/304 321
B24B 37/00 C
, B24B 37/00 F
, B24B 37/04 A
, B24B 49/12
, H01L 21/304 321 E
