光集積回路およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337172
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202162
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【構成】n-GaAs基板1にエピタキシャル成長を利用して形成した第1の面型光素子2と、他の基板上に形成した半導体ペレットをInP層7aを介して接合した第2の面型光素子3等を設ける。【効果】特性の良好な複数の種類の面型光素子を同一基板に集積できる波長多重の光情報伝達に利用できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を選択的に被覆するエピタキシャル層を含む第1の電子素子と、前記半導体基板に接合部材を介して接合された半導体ペレットを含み前記第1の電子素子とは種類または特性の異なる第2の電子素子とを有し、前記第1の電子素子または第2の電子素子の少なくとも一方が面型光素子であることを特徴とする光集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/15 , H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-134965
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-062903 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る