特許
J-GLOBAL ID：200903001568107723
レーザー照射装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069394
公開番号（公開出願番号）：特開平9-234579
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【目的】 線状のレーザー光を用いて、大面積の半導体膜に対するアニールの均一性を高める。【構成】 線状に加工されて被照射面に照射されるレーザー光の長手方向における照射エネルギー密度を制御するホジナイザーを12及び13で示されるように2つ配置する。また、線状のレーザー光の幅方向における照射エネルギー密度を制御するホジナイザーは11で示されるように1つとする。このようにすることで、レーザーアニールの均一性を最低限のホモジナイザーでもって得ることができる。
請求項（抜粋）：
線状のレーザー光を照射する装置であって、線状のレーザー光の幅方向に対応するホモジナイザーがA個配置されており、線状のレーザー光の長手方向に対応するホモジナイザーがB個配置されており、A<Bであることを特徴とするレーザー照射装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
