半導体デバイスのレーザー処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124172
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307304
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】パルス状のレーザー光の照射工程を有する半導体デバイスの作製方法を提供する。【構成】半導体デバイスの回路をアナログ的な回路領域と、そうでない回路領域とにわける。この際、前者は後者よりも小さくなるように設計する。そして、レーザー光を照射する際に、アナログ的な回路領域では、レーザービームを実質的に移動させずにレーザー光を照射する。一方、アナログ的でない回路領域においては、レーザー光を走査しながら照射する。この結果、前記アナログ的な回路領域においては、レーザービームの重なりが実質的に存在せず、例えば、薄膜トランジスタのしきい値電圧の均一性が向上し、アナログ回路として優れた特性を示す。

請求項（抜粋）：

少なくとも、第1および第2の半導体集積回路領域(ここで、第1の回路領域は第2の回路領域よりも小さい)もしくは回路領域となるべき領域を有する基板に対して線状のパルスレーザー光を照射するレーザー処理方法において、レーザー光の実質的なビームの大きさは、前記第1の回路領域よりも大きく、レーザー光を照射している間、レーザー光を実質的に移動させることなく、第1の回路領域の全体にレーザー光を照射する第1の工程と、第1の工程の後に、レーザー光を照射しないで、レーザー光の照射されるべき位置を第1の回路領域から離す第2の工程と、レーザー光を走査させつつ、第2の回路領域にレーザー光を照射する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 B , H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211248 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-282869
電気光学的表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-230198 出願人：セイコーエプソン株式会社

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