特許
J-GLOBAL ID:200903001586022271
界面検出方法及び界面検出装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
畠山 文夫
, 小林 かおる
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-287024
公開番号(公開出願番号):特開2008-102105
出願日: 2006年10月20日
公開日(公表日): 2008年05月01日
要約:
【課題】薄膜積層体の深さ方向分析を行う場合において、各層の界面の位置を正確に特定することが可能な界面検出方法及び界面検出装置を提供すること。【解決手段】グロー放電により発生させた不活性ガスイオンを試料表面に衝突させ、試料表面から飛び出した粒子をプラズマ中で励起するグロー放電発光手段を備えた装置に試料を設置し、試料表面をスパッタリングする第1工程と、プラズマで励起された粒子が基底状態に戻る際に放出するトータル発光量FIを測定する第2工程と、トータル発光量FIの1次微分値FI’及び/又は2次微分値FI”を算出する第3工程と、1次微分値FI’の絶対値及び/又は2次微分値FI”の絶対値が第1しきい値α(0≦α)以下となる時間tn(nは、1以上の整数)を算出する第4工程とを備えた界面検出方法、及び、界面検出装置。【選択図】図3
請求項(抜粋):
グロー放電により発生させた不活性ガスイオンを試料表面に衝突させ、前記試料表面から飛び出した粒子をプラズマ中で励起するグロー放電発光手段を備えた装置に試料を設置し、前記試料表面をスパッタリングする第1工程と、
前記プラズマで励起された前記粒子が基底状態に戻る際に放出するトータル発光量FIを測定する第2工程と、
前記トータル発光量FIの1次微分値FI’及び/又は2次微分値FI”を算出する第3工程と、
前記1次微分値FI’の絶対値及び/又は前記2次微分値FI”の絶対値が第1しきい値α(0≦α)以下となる時間tn(nは、1以上の整数)を算出する第4工程と
を備えた界面検出方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
2G043AA03
, 2G043BA01
, 2G043CA07
, 2G043EA09
, 2G043GA08
, 2G043GB21
, 2G043HA01
, 2G043LA01
引用特許:
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