AlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166770
公開番号（公開出願番号）：特開2001-348275
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】【課題】高い熱伝導率を保持し、かつ、研磨加工性を向上させたAlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子を得る。【解決手段】任意の一辺が10μmの正方形100μm2の領域内に存在するAlN結晶粒子数が5以上であり、この領域内に入る粒界の総長さが100μm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

任意の一辺が10μmの正方形100μm2の領域内に存在するAlN結晶粒子数が5以上であり、この領域内に入る粒界の総長さが100μm以下であることを特徴とするAlN基板。

IPC (3件)：

C04B 35/581 , C04B 41/88 , H01S 5/022

FI (3件)：

C04B 41/88 Q , H01S 5/022 , C04B 35/58 104 D

Fターム (12件)：

4G001BA04 , 4G001BA09 , 4G001BA36 , 4G001BB04 , 4G001BB09 , 4G001BB36 , 4G001BC72 , 4G001BD03 , 4G001BE22 , 4G001BE32 , 4G001BE35 , 5F073FA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

引用文献：

審査官引用 (2件)

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