特許

J-GLOBAL ID：200903001598323749

銅/タンタル基体に有用な化学的機械研磨スラリー

発明者： コーフマン,ブラスタ ブラシック ,  キストラー,ロドニー シー. ,  ワン,シュミン
出願人/特許権者： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-557316
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519471
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：

【要約】本発明は、研磨材、酸化剤、錯化剤、膜形成剤および有機アミノ化合物を含む第1のCMPスラリー、研磨材、酸化剤、および酢酸を含み、酢酸に対する酸化剤の質量比が少なくとも10である第2研磨スラリー、ならびに第1および第2研磨スラリーを用いて銅を含む基体、そしてタンタルもしくは窒化タンタル、またはタンタルおよび窒化タンタルの両方を含む基体を逐次的に研磨するために使用する方法である。

請求項（抜粋）：

少くとも1つの研磨材;酢酸;および少くとも1つの膜形成剤、を含む化学的機械研磨スラリー前駆体。

IPC (5件)：

C09G 1/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/32 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

C09G 1/02 ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/32 ,  H01L 21/88 K

Fターム (18件)：

5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM13 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF69 ,  5F058BF80 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124290   出願人：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド

審査官引用 (1件)

• 半導体処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124290   出願人：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド