特許
J-GLOBAL ID:200903001620701280

微細パターン形成方法、光学素子の製造方法、光学素子および光伝送装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-049194
公開番号(公開出願番号):特開2001-235646
出願日: 2000年02月25日
公開日(公表日): 2001年08月31日
要約:
【要約】【課題】 微細で深くかつ表面に粗さのないパターン形成方法を提供することによって、性能、量産性、低コスト性を兼ね備えた光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の一部に、少なくとも一対の列を有するパターンのエッチングマスク2を形成する工程と、基板1にエッチングマスク2を用いてエッチングを行い、基板1上に少なくとも一対の断面凸型の列を有するパターンを形成する工程とを備え、前記一対の断面凸型の列に挟まれた領域に、断面凹型の溝を形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
請求項(抜粋):
基板の一部に、少なくとも一対の列を有するパターンのエッチングマスクを形成する工程と、前記基板に前記エッチングマスクを用いてエッチングを行い、前記基板上に少なくとも一対の断面凸型の列を有するパターンを形成する工程とを備え、前記一対の断面凸型の列に挟まれた領域に、断面凹型の溝を形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (2件):
G02B 6/13 ,  G02B 6/122
FI (2件):
G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 A
Fターム (6件):
2H047KA03 ,  2H047PA24 ,  2H047PA28 ,  2H047QA04 ,  2H047QA05 ,  2H047TA43
引用特許:
審査官引用 (3件)

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