特許
J-GLOBAL ID：200903001629197275

銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置

発明者：
魚住 宜弘

魚住 宜弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015653
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210630
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 銅膜を酸化させその酸化物を酸又はアルカリ等で除去して銅膜表面をエッチングする方法であってエッチング処理を行った後の銅膜表面の荒れが少なく少ない工程で短時間に精度良く行うことができる銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 pH=8〜10に調整したアンモニア水と過酸化水素水の混合液に絶縁膜1の配線溝に埋め込まれバリアメタル層2に囲まれた銅配線3の表面を曝すことにより表面にアンモニア錯体を含む銅酸化膜5を形成する。その後、希塩酸などの酸化力の弱い酸か希アンモニア水などのアルカリで銅酸化膜5を選択的にエッチングする。その後表面にバリアメタル層4を形成する。従来困難であった表面を荒らさない銅のエッチングが可能になり、安全で安価な薬液による酸化及びエッチングが短時間で行えバリアメタル層が安定して形成される。
請求項（抜粋）：
pH=8〜10もしくはpH=9〜10に調整したアンモニア水と過酸化水素水の混合液を銅膜表面に接触させて銅のアンモニア錯体を含む銅の酸化膜を形成する工程を備えたことを特徴とする銅酸化膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/308 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288
FI (3件)：
H01L 21/308 F ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/288 M
Fターム (15件)：
4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104FF16 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD02 ,  5F043EE08 ,  5F043GG03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭55-122874
  • 特開昭52-071348
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001654   出願人：株式会社東芝

前のページに戻る

TOP

BOTTOM