特許

J-GLOBAL ID：200903001644681205

スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材

発明者： 町野 毅 ,  大内 幸弘 ,  高橋 昭雄 ,  杉原 忠 ,  武下 拓夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259904
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070943
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用焼結ターゲット材の高密度化をはかる。【構成】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用ターゲット材が、重量%で、SnO2 :5〜15%、ZnO:0.1〜5%、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成、並びに、92%以上の理論密度比、を有する高密度焼結体からなる。

請求項（抜粋）：

重量%で、酸化スズ:5〜15%、酸化亜鉛:0.1〜5%、を含有し、残りが酸化インジウムと不可避不純物からなる組成、並びに、92%以上の理論密度比、を有することを特徴とするスパッタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲット材。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平2-410685   出願人：日立金属株式会社, 株式会社安来精密