特許
J-GLOBAL ID：200903001667975966
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193399
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】可動部が露出した露出構造部を有する半導体ウェハと、露出構造部を覆うように半導体ウェハに設けられた取り外し可能な保護キャップとを備える半導体装置において、ダイシングカット後の保護キャップの溶着工程を不要にする。【解決手段】可動部が露出した露出構造部としてのセンシング部3を有する半導体ウェハ1と、センシング部3を覆うように半導体ウェハ1の表面に設けられた取り外し可能な保護キャップとしての第1の粘着シート2とを備える半導体装置200であって、半導体ウェハ1の表面に冷却水を吹き付けつつレーザビームを照射して半導体ウェハ1がダイシングされるものであり、第1の粘着シート2は、半導体ウェハ1よりもレーザ光を吸収しにくいポリイミド系樹脂等からなるメッシュ状のものである。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
可動部や構造体が露出した露出構造部(3)を有する半導体ウェハ(1)と、
前記露出構造部を覆うように前記半導体ウェハの表面に設けられた取り外し可能な保護キャップ(2)とを備える半導体装置であって、
前記半導体ウェハの表面に冷却水を吹き付けつつレーザビームを照射して前記半導体ウェハがダイシングされるものであり、
前記保護キャップは、前記半導体ウェハよりも前記レーザビームを吸収しにくいものであってメッシュ状であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/301
, G01P15/125
, H01L29/84
H01L21/78 B
, G01P15/125 Z
, H01L29/84 Z
, H01L21/78 M
4M112AA01
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA14
, 4M112CA21
, 4M112CA34
, 4M112DA04
, 4M112DA16
, 4M112DA20
, 4M112EA20
, 4M112FA20
