特許
J-GLOBAL ID：200903001702627860
導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
塩澤 寿夫 (外1名)
, 塩澤 寿夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018479
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213763
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 一般式Znx M y Inz O (x+3y/2+3z/2) で示される酸化物からなる導電性酸化物薄膜を配向性制御基板上または基板上の配向性制御膜上に有する物品であって、ZnO に代わる入手または生産が容易な配向性制御基板または配向性制御膜を用いて、より大面積とすることが可能な物品を提供すること。【解決手段】 一般式Znx M y Inz O (x+3y/2+3z/2)-d (式中、MはAl及び/又はGaであり、比率(x:y)が0.2〜8:1であり、比率(z:y)が0.4〜1.4:1であり、かつ酸素欠損量dが0を超え、(x+3y/2+3z/2)の1×10-1倍の範囲である)で表される導電性酸化物薄膜を、c 軸が基板の膜形成面に垂直に配向しているAl2O3 単結晶からなる配向性制御基板上または基板上の配向性制御膜上に有する物品。前記導電性酸化物薄膜は、上記酸化物の(00n)面が実質的に配向するように形成されている。
請求項（抜粋）：
基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に導電性酸化物薄膜を有する物品であって、前記導電性酸化物薄膜は、一般式Znx M y Inz O (x+3y/2+3z/2)-d (式中、Mはアルミニウム及びガリウムのうちの少なくとも一つの元素であり、比率(x:y)が0.2〜8:1の範囲であり、比率(z:y)が0.4〜1.4:1の範囲であり、かつ酸素欠損量dが0を超え、(x+3y/2+3z/2)の1×10-1倍の範囲である)で表される酸化物からなり、前記導電性酸化物薄膜は、配向性制御基板上または基板上の配向性制御膜上に、上記酸化物の(00n)面(但し、nは正の整数である)が実質的に配向するように形成されたものであり、さらに前記配向性制御基板及び前記配向性制御膜は、Al2O3 単結晶からなり、かつこの単結晶のc 軸は基板の膜形成面に垂直に配向していることを特徴とする物品。
IPC (6件)：
H01B 5/14
, C23C 14/08
, G09F 9/30 337
, H01B 13/00 503
, H01L 31/04
, G02F 1/1343
H01B 5/14 A
, C23C 14/08 D
, G09F 9/30 337
, H01B 13/00 503 B
, G02F 1/1343
, H01L 31/04 H
