特許
J-GLOBAL ID：200903001748679679
微細パターンの製造方法と半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350384
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201825
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 工程数を増加させることなく良好に安定したマスクパターンを形成できるように、反射防止効果と無機マスクとを兼ね備える無機膜を決定し、これにより良好なマスクパターンの転写を可能にする微細パターンの製造方法および半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 下地基板上に、無機膜で構成された反射防止膜20を形成し、この反射防止膜20上に、レジスト膜24を形成し、このレジスト膜24に対し、i線またはi線よりも短波長の光を用いて、露光を行い、レジスト膜24にマスクパターン26を転写し、このマスクパターンが転写されたレジスト膜26をマスクとして、反射防止膜20をエッチング加工し、反射防止膜20にマスクパターンを転写し、このマスクパターンが転写された反射防止膜20をマスクとして、金属配線層が形成された下地基板18をエッチング加工し、下地基板18にマスクパターンを転写する。
請求項（抜粋）：
下地基板上に、無機膜で構成された反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に、レジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜に対し、i線またはi線よりも短波長の光を用いて、露光を行い、レジスト膜にマスクパターンを転写する工程と、このマスクパターンが転写されたレジスト膜をマスクとして、上記反射防止膜をエッチング加工し、反射防止膜にマスクパターンを転写する工程と、このマスクパターンが転写された反射防止膜をマスクとして、下地基板をエッチング加工し、下地基板にマスクパターンを転写する工程とを有する微細パターンの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/11 503
, G03F 7/20 521
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
H01L 21/302 J
, H01L 21/30 574
